フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
紫外線で全内容の消去ができる。
周期的にデータの再書込みが必要である。
ブロック単位で電気的に消去できる。
フラッシュメモリは，電気的にデータを書き換えられる不揮発性の半導体メモリであり，ブロック単位で一括して消去できる。アはキャッシュメモリなどに用いられる SRAM，イは紫外線で全内容を消去する EPROM，ウは定期的な再書込み（リフレッシュ）が必要な DRAM の説明である。したがって，エが正解である。