フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
紫外線で全内容の消去ができる。
周期的にデータの再書込みが必要である。
ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
フラッシュメモリは，EEPROM の一種で，電気的に内容を書き換えられる不揮発性メモリです。消去はバイト単位ではなく，ブロック単位で電気的に行います。したがって「エ」が適切です。