問題プレビューID: fe4613e3

• DRAM: コンデンサに電荷を蓄えて記憶するため、時間とともに電荷が失われ、リフレッシュ動作が必要である。
• EEPROM: 電気的に書き換え可能な不揮発性メモリで、フローティングゲートに電荷を蓄えて記憶する。
• SDRAM: 同期式の DRAM であり、記憶素子はコンデンサである。
• SRAM: フリップフロップ回路で記憶するため、リフレッシュが不要で高速である。

メモリセルにフリップフロップ回路を利用したものは SRAM である。したがって、正解は「エ」である。